第429章 三年时间，BG-103成功了？（1 / 2）

CPU芯片估计还要等一两个星期才会寄过来。

GPU因为没有上市需求原因，伊斯教授他们只做最高版，中低端只要阉割一下就行。

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与此同时。

盘古科技CMOS研发小组。

CMOS部门研发出新一代的传感器。

新的传感器采用0.13微米工艺，传感器尺寸来到1/3英寸，摄像头像素来到500万，成像效果比上一代更加强悍，成像效果已经秒杀SONYF717。

只可惜光学组装厂还没落地，否则可以直接生产供货给友商了。

或许大家很好奇为什么要拿SONYF717来进行对比。

那是因为即使SONYF717已经上市两年时间，它仍旧是数码相机里面最强悍的。

王明将最新研发的CMOS传感器数据发给沈浪后，沈浪这边也是当场给他回了一个信息。

沈浪：“继续研发大尺寸CMOS，小尺寸CCD优化也别停，最大尺寸为44MM和33MM。”

在看到沈浪发过来的信息后王明也是倒吸一口冷气，因为这个尺寸对他来说实在是太大了，他搞不明白什么样领域才会用到这么大尺寸S。

王明：“好的，沈总。”

不过沈浪安排下来的工作他还是会去做的。

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盘古科技10楼。

光刻机研究中心。

钟振华隔着观察室的玻璃窗死死盯着机房里面的光刻机。

历时3年他们终于将BG-103搞出来了，这还多亏沈浪的100亿投资基金，否则他们也没办法在3年内弄出来，他们原本计划在今年推出BG-104，结果却因为限制问题多耗了两年的时间。

当然这期间他们也没有闲着，在这期间他们弄出不少新专利，例如浸没式光刻技术的专利。

除此以外他们还为沈浪甄选十二家与光刻机相关产业链公司，目前为止已经向这十二家公司投资金额28亿，同时也获得了这些公司15%到40%的股份。

他们在实验室内成功将193ArF激光缩短到134。

当然他们也只是能再实验室内实现，他们没有办法将这项技术量产。

因为他们到目前为止都还没有掌握制造光刻机使用的193ArF激光发射器的技术。

或许有人会问既然你没有掌握制造光刻机使用的193ArF激光发射器的技术。

你的193ArF激光又是怎么来的？

没有193ArF激光你又是如何将浸没式光刻技术实现的？

他们没办法制造光刻机使用的193ArF激光发射器，并不代表他们没办法制造193ArF激光。

经过半个小时操作他们终于将想要的图案都刻进一块8寸的晶圆里面。

想要知道成功与否还需要差不多3天时间才知道，后面还有7个步骤等着他们去操作，这七个步骤最少需要3天的时间来完成。

不过就算BG-103成功了，他们距离国际水平还很远。

之前就说过BG-103是在BG-101分步式光刻机基础下改造的。

分步式光刻机采用分步重复曝光技术，每次仅曝光硅片上的一个独立区域（如单个芯片或小面积图形），完成曝光后通过机械步进移动硅片至下一位置重复该过程。

分步式光刻机光刻机不仅效率慢，最高也只能支持0.13微米的工艺。

想要提高速度并且制作100纳米以下的芯片，就必须采用步进式光刻机才行，进步